国家重大科技项目“半导体发光器件外延工艺与管芯技术”今天在山东省济南市顺利通过鉴定验收。它标志着中国半导体发光器件研究获重大突破，打破了半导体外延材料与管芯技术被欧美发达国家和地区垄断的局面。
    　　
    据中国工程院院士蒋民华教授介绍，“半导体发光器件外延工艺与管芯技术”是中国光电子产业化前期关键技术开发项目，国家先后投资７３００万元，历经３年多时间才使该项目达到产业化水平。目前，这一项目已形成一定规模，可年产各类高亮度及超高亮度发光二极管、激光二极管外延片４万片、管芯２亿粒。
    　　
    在今天举行的鉴定验收会上，由中国科学院院士周炳琨、王占国、中国工程院院士沈德忠等１２位专家组成的技术鉴定和项目验收委员会认为：该项目整体设计合理，在产业化前期关键技术研究的同时，兼顾了产业化生产，并具有自主知识产权，产品指标国内领先。
    　　
    鉴定验收委员会的专家指出，“半导体发光器件外延工艺与管芯技术”的成功，使中国具备了大批量提供各类高亮度发光二极管、激光二极管外延材料及管芯产品的生产能力，意味着中国半导体发光器件行业开始迈入世界先进行列。
    　　
    由光学和电子学交叉渗透而形成的光电子技术，应用非常广泛，涉及光通讯、光电显示、光储存、光电输入输出、激光等诸多领域。目前，中国光电子产业总产值已由１９９５年的１０多亿美元发展到２００１年的１００多亿美元。