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“全自动大规模集成电路单晶硅生长炉关键技术的研究与开发”项目通过验收

发布时间:2009-03-24来源:作者:浏览次数:39507


    3月6日,由浙江大学承担的浙江省重大科技专项“全自动大规模集成电路单晶硅生长炉关键技术的研究与开发”项目,通过了由浙江省科技厅组织的专家组的验收。此前,该项目产品于2008年10月18日通过了新产品省级鉴定,专家们认为,该项目研制的全自动晶体生长炉达到了国内领先水平,其中晶体直径控制技术达到国际同类产品的先进水平。
    
    项目在深入研究硅单晶生长工艺的基础上,对拉晶全过程实行全自动控制,使硅单晶产品的成品率达到国际先进水平;开发的基于非完整图像识别的高温晶棒直径测量和CCD图像获取熔态硅液面位置等两项创新性关键技术,使1m长的单晶棒等径误差小于±1mm,达到国际同类产品的先进水平。
    
    项目已获授权的国家专利6项,其中发明专利3项。该项目的单晶炉控制软件已获国家版权局颁发的计算机软件著作权登记证书。项目开发的具有完全自主知识产权的全自动单晶炉产品,填补了国内空白,初步实现了工业化生产和推广应用,取得了良好的经济效益与社会效应。
    
    项目由上虞晶盛机电工程有限公司、杭州慧翔电液技术开发有限公司、上虞市金轮机电工程有限公司以及杭州电子科技大学等单位参加完成。产品已广泛地用于北京有研半导体材料股份公司、北京国泰半导体、浙江万向硅峰公司、四川峨嵋半导体材料厂、江西LDK和天威英利等国内著名的半导体材料制备企业和高端的太阳能材料公司。
    
    (李世伦)