近日，信电系张睿老师获得IEEE Pual Rappaport奖。
    
    Pual Rappaport奖是由IEEE电子器件分会颁发的两大年度最佳成果奖项之一，每年在世界范围内选出1 人，以表彰其在电子器件领域所做出的转折性贡献，该奖也是电子器件领域的最高奖项之一。
    
    由于很高的理论电子和空穴迁移率，锗晶体管被视为在未来CMOS技术中替代硅晶体管最有希望的候选者，但是如何获得同时具有优异电学性能和超薄厚度的锗基栅极，一直是制约锗晶体管产业化的瓶颈。张睿博士在其研究过程中，首次开创了利用等离子体后氧化法实现高质量超薄锗基栅极和锗沟道场效应晶体管，打破了锗晶体管的世界纪录，并且在世界上第一次实现了超薄栅极情况下同时超越硅晶体管电子和空穴迁移率的锗晶体管。该研究提出了基于极薄氧化锗进行锗沟道界面钝化的方法，并首次展示了锗晶体管在未来CMOS技术中替代硅晶体管的可能性。