近日，材料学院杨德仁教授团队研发的“微量掺锗直拉硅单晶”项目获2015年浙江省技术发明一等奖，受到省委省政府嘉奖。
    
    据介绍，10余年前杨德仁教授在国际上率先提出"有意掺入微量锗杂质来调控直拉硅单晶中缺陷"的新思路，并发明了微量掺锗直拉硅单晶及系列技术，并实现了直径150-300 mm掺锗直拉硅单晶的生长。
    
    经长期研究，该研究团队还发现了微量掺锗抑制空洞型缺陷等规律，提出了调控直拉硅单晶中缺陷的"杂质工程"的新概念。在此基础上，团队发明了微量掺锗直拉硅单晶的外延、吸杂等微电子器件相关的技术，实现其在微电子产业中的应用。
    
    研究团队利用掺锗实现重掺直拉硅单晶的晶格畸变补偿，制备了无失配位错的厚外延片。研究团队发明的吸杂工艺使掺锗硅片在近表面形成无缺陷区，在体内形成高密度的吸杂点，能有效吸除有害金属。该团队还发明了微量掺锗直拉硅单晶的低光衰减、薄片化等太阳能电池相关的技术，实现其在光伏产业中的应用。